창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFL210N30P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFL210N30P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 108A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 16m옴 @ 105A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 268nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 16200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFL210N30P3 | |
| 관련 링크 | IXFL210, IXFL210N30P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GCM1555C1H3R0CA16J | 3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GCM1555C1H3R0CA16J.pdf | |
![]() | 105R-822F | 8.2µH Unshielded Inductor 135mA 5 Ohm Max 2-SMD | 105R-822F.pdf | |
![]() | CRCW121811R0FKTK | RES SMD 11 OHM 1% 1W 1218 | CRCW121811R0FKTK.pdf | |
![]() | Y0101200K000T13L | RES 200K OHM 1W 0.01% RADIAL | Y0101200K000T13L.pdf | |
![]() | PAL16R4DCNL | PAL16R4DCNL AMD PLCC-20 | PAL16R4DCNL.pdf | |
![]() | EL2252MJ/883 | EL2252MJ/883 EL CDIP | EL2252MJ/883.pdf | |
![]() | LAN91C96-E0149-AR64 | LAN91C96-E0149-AR64 TI QFP | LAN91C96-E0149-AR64.pdf | |
![]() | 56079 | 56079 MURR null | 56079.pdf | |
![]() | SM3015A-BN8B-TN1NT | SM3015A-BN8B-TN1NT SM DIP | SM3015A-BN8B-TN1NT.pdf | |
![]() | MBM29F080A-90PTN-E1 | MBM29F080A-90PTN-E1 FUJITSU SMD or Through Hole | MBM29F080A-90PTN-E1.pdf | |
![]() | UCC5970D | UCC5970D UNITROD SOP-8 | UCC5970D.pdf |