창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFL132N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFL132N50P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 63A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 43m옴 @ 66A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 18600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 520W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | ISOPLUS264™ | |
| 공급 장치 패키지 | ISOPLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFL132N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFL132, IXFL132N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445W31D30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 18pF 30옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W31D30M00000.pdf | |
![]() | H11AV1X | Optoisolator Transistor with Base Output 5300Vrms 1 Channel 6-DIP | H11AV1X.pdf | |
![]() | AT0603DRE07130RL | RES SMD 130 OHM 0.5% 1/10W 0603 | AT0603DRE07130RL.pdf | |
![]() | PE-1008CX220KTT | PE-1008CX220KTT PELSE SMD or Through Hole | PE-1008CX220KTT.pdf | |
![]() | 1786255 | 1786255 PHOENIX SMD or Through Hole | 1786255.pdf | |
![]() | 9763AST | 9763AST AD QFP | 9763AST.pdf | |
![]() | 95398 | 95398 MOLEX SMD or Through Hole | 95398.pdf | |
![]() | MC10H145LDS/L | MC10H145LDS/L MOT DIP | MC10H145LDS/L.pdf | |
![]() | 12F510I/SN | 12F510I/SN MICROCHIP SOP8 | 12F510I/SN.pdf | |
![]() | LM258H/883C | LM258H/883C NS/LT CAN8 | LM258H/883C.pdf | |
![]() | NG88AGH QH70ES | NG88AGH QH70ES INTEL BGA | NG88AGH QH70ES.pdf |