창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFK80N60P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFK-FX80N60P3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 80A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 70m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13100pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1300W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFK80N60P3 | |
관련 링크 | IXFK80, IXFK80N60P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
GRM1555C1E3R9BZ01D | 3.9pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1E3R9BZ01D.pdf | ||
RPE5C2A560J2M1Z03A | 56pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RPE5C2A560J2M1Z03A.pdf | ||
CDSOD323-T24L | TVS DIODE 24VWM 56VC SMD | CDSOD323-T24L.pdf | ||
UGB5JT-E3/81 | DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB | UGB5JT-E3/81.pdf | ||
SRR1260-6R1Y | 6.1µH Shielded Wirewound Inductor 6.6A 17 mOhm Max Nonstandard | SRR1260-6R1Y.pdf | ||
106-223F | 22µH Unshielded Inductor 110mA 7.5 Ohm Max 2-SMD | 106-223F.pdf | ||
CRCW1206180RJNEB | RES SMD 180 OHM 5% 1/4W 1206 | CRCW1206180RJNEB.pdf | ||
ST-1102VA | ST-1102VA ORIGINAL SMD or Through Hole | ST-1102VA.pdf | ||
MT49H16M18FM-25 ES | MT49H16M18FM-25 ES MT BGA | MT49H16M18FM-25 ES.pdf | ||
RK73H1ET2202F | RK73H1ET2202F KOA SMD | RK73H1ET2202F.pdf | ||
ADUM1210BRZ-REEL7 | ADUM1210BRZ-REEL7 AD Original | ADUM1210BRZ-REEL7.pdf | ||
K9F6408UOC-QCB0 | K9F6408UOC-QCB0 SAMSUNG TSOP44 | K9F6408UOC-QCB0.pdf |