창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK66N85X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFK66N85X, IXFX66N85X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 66A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK66N85X | |
| 관련 링크 | IXFK66, IXFK66N85X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ALSR05R1000JE12 | RES 0.1 OHM 5W 5% AXIAL | ALSR05R1000JE12.pdf | |
![]() | GC80503CSM166 | GC80503CSM166 INTEL BGA | GC80503CSM166.pdf | |
![]() | F10F150S(FFPF10F150STU) | F10F150S(FFPF10F150STU) FAIRCHILD DIODE | F10F150S(FFPF10F150STU).pdf | |
![]() | 18127A103JAT1A | 18127A103JAT1A AVX SMD | 18127A103JAT1A.pdf | |
![]() | BLM11A102SPTM00 | BLM11A102SPTM00 MURATA SMD | BLM11A102SPTM00.pdf | |
![]() | S2559FS | S2559FS AMI SOP | S2559FS.pdf | |
![]() | 6N134883B | 6N134883B AVAGO DIC | 6N134883B.pdf | |
![]() | R60GR4680AA4 | R60GR4680AA4 KEMET SMD or Through Hole | R60GR4680AA4.pdf | |
![]() | lt1220cn8-pbf | lt1220cn8-pbf ltc SMD or Through Hole | lt1220cn8-pbf.pdf | |
![]() | MC5619075 | MC5619075 MOT DIP | MC5619075.pdf | |
![]() | EXO39A-16.000 | EXO39A-16.000 KSS DIP8 | EXO39A-16.000.pdf | |
![]() | RD24MT2B | RD24MT2B NEC SMD or Through Hole | RD24MT2B.pdf |