창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK66N85X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFK66N85X, IXFX66N85X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 66A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 230nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8900pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK66N85X | |
| 관련 링크 | IXFK66, IXFK66N85X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ERJ-S02F4701X | RES SMD 4.7K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F4701X.pdf | |
![]() | RT0603DRD07348RL | RES SMD 348 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RT0603DRD07348RL.pdf | |
![]() | GRM188B11H272KA01D | GRM188B11H272KA01D MURATA SMD or Through Hole | GRM188B11H272KA01D.pdf | |
![]() | KAS31000AM-S4UY | KAS31000AM-S4UY ORIGINAL BGA | KAS31000AM-S4UY.pdf | |
![]() | CBB22 400V205 (400V2uf) | CBB22 400V205 (400V2uf) ORIGINAL DIP | CBB22 400V205 (400V2uf).pdf | |
![]() | MN101C28CKFI | MN101C28CKFI ORIGINAL QFP | MN101C28CKFI.pdf | |
![]() | TPS77033DBVRG4 TEL:82766440 | TPS77033DBVRG4 TEL:82766440 TI/ SOT23-5 | TPS77033DBVRG4 TEL:82766440.pdf | |
![]() | MAX6386XS26D2 | MAX6386XS26D2 MAXIM SOT343 | MAX6386XS26D2.pdf | |
![]() | LTV356TA | LTV356TA LITE-ON SMD or Through Hole | LTV356TA.pdf | |
![]() | IXTH20N60(A) | IXTH20N60(A) IXY SMD or Through Hole | IXTH20N60(A).pdf | |
![]() | LT1460BIN8-2.5#PBF | LT1460BIN8-2.5#PBF LINEAR PDIP-8 -40 -125 | LT1460BIN8-2.5#PBF.pdf | |
![]() | MOC8020FVM | MOC8020FVM MOT/FSC SMD or Through Hole | MOC8020FVM.pdf |