창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK64N50P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)64N50P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 64A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 85m옴 @ 32A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8700pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK64N50P | |
| 관련 링크 | IXFK64, IXFK64N50P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 445I23F12M00000 | 12MHz ±20ppm 수정 24pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445I23F12M00000.pdf | |
![]() | SL04-M3-08 | DIODE SCHOTTKY 40V DO219-M | SL04-M3-08.pdf | |
![]() | ERJ-PA3J394V | RES SMD 390K OHM 5% 1/4W 0603 | ERJ-PA3J394V.pdf | |
![]() | RT0805CRB0782R5L | RES SMD 82.5 OHM 0.25% 1/8W 0805 | RT0805CRB0782R5L.pdf | |
![]() | HYEQC001C68607Y | HYEQC001C68607Y N/A SMD or Through Hole | HYEQC001C68607Y.pdf | |
![]() | VP22295-2 | VP22295-2 ERICSSON BGA | VP22295-2.pdf | |
![]() | ELLA6R3ETD102MJC5S | ELLA6R3ETD102MJC5S Chemi-con NA | ELLA6R3ETD102MJC5S.pdf | |
![]() | MB29LV320TE-90 | MB29LV320TE-90 FUJITSU BGA | MB29LV320TE-90.pdf | |
![]() | EPM2210GF256I4 | EPM2210GF256I4 ALTERA SMD or Through Hole | EPM2210GF256I4.pdf | |
![]() | MB3752PG | MB3752PG FUJITSU SMD or Through Hole | MB3752PG.pdf | |
![]() | HM-R | HM-R H SMD or Through Hole | HM-R.pdf | |
![]() | IS42S16100-7 | IS42S16100-7 ISSI TSOP | IS42S16100-7.pdf |