창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK60N55Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)60N55Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 550V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 200nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK60N55Q2 | |
| 관련 링크 | IXFK60, IXFK60N55Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 08053C823KAT2A | 0.082µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08053C823KAT2A.pdf | |
![]() | 170M3689 | FUSE SQ 63A 1.3KVAC RECTANGULAR | 170M3689.pdf | |
![]() | 416F38422ATR | 38.4MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38422ATR.pdf | |
![]() | EGP30C-E3/54 | DIODE GEN PURP 150V 3A GP20 | EGP30C-E3/54.pdf | |
![]() | K3610 | K3610 KODENSHI DIPSOP | K3610.pdf | |
![]() | 0.47UF16V-P | 0.47UF16V-P AVX SMD or Through Hole | 0.47UF16V-P.pdf | |
![]() | SN75175NS | SN75175NS TI SOP5.2 | SN75175NS.pdf | |
![]() | MM | MM MIC MLF-10 | MM.pdf | |
![]() | RTC6603(M6P06B) | RTC6603(M6P06B) RICHWAVE SOT-363 | RTC6603(M6P06B).pdf | |
![]() | SS56-E3 | SS56-E3 VIS SMD or Through Hole | SS56-E3.pdf | |
![]() | df12-30dp-0.5v | df12-30dp-0.5v HRS pcs | df12-30dp-0.5v.pdf | |
![]() | NS9906ANE4 | NS9906ANE4 NS QFP | NS9906ANE4.pdf |