창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFK52N60Q2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,X)52N60Q2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 198nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 735W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFK52N60Q2 | |
관련 링크 | IXFK52, IXFK52N60Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
35ML39MEFCTZ6.3X7 | 39µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | 35ML39MEFCTZ6.3X7.pdf | ||
SASP120M110AD | SS TIMR ON DLY, 120M ADJ, 110VAC | SASP120M110AD.pdf | ||
AT1206BRD07237KL | RES SMD 237K OHM 0.1% 1/4W 1206 | AT1206BRD07237KL.pdf | ||
DG403AK/883-5962 | DG403AK/883-5962 HARRIS DIP | DG403AK/883-5962.pdf | ||
ECQV1H823JL2 | ECQV1H823JL2 ORIGINAL DIP | ECQV1H823JL2.pdf | ||
L78L05ACZ(-AP) | L78L05ACZ(-AP) ST TO-92 | L78L05ACZ(-AP).pdf | ||
74HCT175PW,118 | 74HCT175PW,118 NXP SMD or Through Hole | 74HCT175PW,118.pdf | ||
LAH-450V680MS1 | LAH-450V680MS1 ELNA DIP | LAH-450V680MS1.pdf | ||
GBAS40-05 | GBAS40-05 GTM SOT-23 | GBAS40-05.pdf | ||
CM293GM-5 | CM293GM-5 NS SOP-8 | CM293GM-5.pdf | ||
C1608A10NJT000N | C1608A10NJT000N TDK SMD or Through Hole | C1608A10NJT000N.pdf | ||
R2S15904SP#DFOZ | R2S15904SP#DFOZ RENESAS SOP | R2S15904SP#DFOZ.pdf |