창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK52N60Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)52N60Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 115m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 198nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK52N60Q2 | |
| 관련 링크 | IXFK52, IXFK52N60Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | URU2C680MHD1TN | 68µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | URU2C680MHD1TN.pdf | |
![]() | RT1210WRD0715R4L | RES SMD 15.4 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD0715R4L.pdf | |
![]() | MRS25000C2403FC100 | RES 240K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C2403FC100.pdf | |
![]() | 646FY-4R7M=P3 | 646FY-4R7M=P3 TOKO SMD or Through Hole | 646FY-4R7M=P3.pdf | |
![]() | JL118SCA | JL118SCA NSC DIP | JL118SCA.pdf | |
![]() | MAX555C641EVAL1 | MAX555C641EVAL1 MAXIM QFP-64 | MAX555C641EVAL1.pdf | |
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![]() | DVP2000SVCMANUAL | DVP2000SVCMANUAL AKI N A | DVP2000SVCMANUAL.pdf | |
![]() | STM8AF6246TCSSSX | STM8AF6246TCSSSX N/A N A | STM8AF6246TCSSSX.pdf | |
![]() | L132XGT | L132XGT KBR SMD or Through Hole | L132XGT.pdf | |
![]() | BSB019N03LX G | BSB019N03LX G Infineon CanPAK M-size | BSB019N03LX G.pdf |