창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK50N85X | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx50N85X | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 850V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105 m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 152nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4480pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 890W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264 | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK50N85X | |
| 관련 링크 | IXFK50, IXFK50N85X 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F3601XCKT | 36MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F3601XCKT.pdf | |
![]() | RNF14BTE5K97 | RES 5.97K OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE5K97.pdf | |
![]() | HVC355B1TRF.A / B1 | HVC355B1TRF.A / B1 HITACHI SOD-423 | HVC355B1TRF.A / B1.pdf | |
![]() | G5U-1117P-DC24V | G5U-1117P-DC24V omron DIP SMD | G5U-1117P-DC24V.pdf | |
![]() | IS62C256-70UG | IS62C256-70UG ISSI SOP | IS62C256-70UG.pdf | |
![]() | MSN51V17400F-60T3-K | MSN51V17400F-60T3-K OKI SOP | MSN51V17400F-60T3-K.pdf | |
![]() | AM2D-0505SZ | AM2D-0505SZ AIMTEC SMD or Through Hole | AM2D-0505SZ.pdf | |
![]() | KX15-50K4D1-E1000 | KX15-50K4D1-E1000 JAE SMD or Through Hole | KX15-50K4D1-E1000.pdf | |
![]() | LP3965ES-1.8/2.5 | LP3965ES-1.8/2.5 NSC TO263 | LP3965ES-1.8/2.5.pdf | |
![]() | XC61AP3702PR3K | XC61AP3702PR3K TOREX SMD or Through Hole | XC61AP3702PR3K.pdf | |
![]() | CSTCW4800MX41023-T/48MHz | CSTCW4800MX41023-T/48MHz MURATA SMD or Through Hole | CSTCW4800MX41023-T/48MHz.pdf |