창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK38N80Q2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,N,X)38N80Q2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 38A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 220m옴 @ 19A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8340pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 735W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK38N80Q2 | |
| 관련 링크 | IXFK38, IXFK38N80Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 381LX151M315J022 | 150µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C | 381LX151M315J022.pdf | |
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![]() | 2512R-103G | 10µH Unshielded Inductor 519mA 1.5 Ohm Max 2-SMD | 2512R-103G.pdf | |
![]() | 216BCP4ALA12FGS 200M | 216BCP4ALA12FGS 200M ATI BGA | 216BCP4ALA12FGS 200M.pdf | |
![]() | KAIJO180-1.5 | KAIJO180-1.5 ORIGINAL TO220-7 | KAIJO180-1.5.pdf | |
![]() | 104-150 | 104-150 SAGAMI 0.5K | 104-150.pdf | |
![]() | VME2000 | VME2000 VIA PLCC28 | VME2000.pdf | |
![]() | 74AHCT16244D | 74AHCT16244D TI SOIC | 74AHCT16244D.pdf | |
![]() | CSTCS20.00MXA040-TC | CSTCS20.00MXA040-TC MURATA SMD or Through Hole | CSTCS20.00MXA040-TC.pdf | |
![]() | 021CL | 021CL SONY DIP | 021CL.pdf | |
![]() | IAB04093ABAA | IAB04093ABAA ALCATEL SMD or Through Hole | IAB04093ABAA.pdf | |
![]() | 8001801FA | 8001801FA NONE MIL | 8001801FA.pdf |