창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK36N60 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,N)3(2,6)N60 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 36A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 180m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 325nC(25V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK36N60 | |
| 관련 링크 | IXFK3, IXFK36N60 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 06035A4R7C4T2A | 4.7pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A4R7C4T2A.pdf | |
![]() | 5MTP 3 | FUSE GLASS 3A 250VAC 5X20MM | 5MTP 3.pdf | |
![]() | MP037B | 3.6864MHz ±30ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/U | MP037B.pdf | |
![]() | RG3216P-97R6-B-T1 | RES SMD 97.6 OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-97R6-B-T1.pdf | |
![]() | CMS15120 | CMS15120 ORIGINAL DIP-8 | CMS15120.pdf | |
![]() | FR802 | FR802 RECTRON TO-220 | FR802.pdf | |
![]() | SM4T36 | SM4T36 ST SOD-6 | SM4T36.pdf | |
![]() | CDR156NP-330L | CDR156NP-330L SUMIDA SMD or Through Hole | CDR156NP-330L.pdf | |
![]() | TMP50C40AN2L | TMP50C40AN2L TI DIP28 | TMP50C40AN2L.pdf | |
![]() | CA3260E/AE | CA3260E/AE HARRIS DIP-8 | CA3260E/AE.pdf | |
![]() | LMV981IDBVT | LMV981IDBVT TI SOT23-6 | LMV981IDBVT.pdf | |
![]() | MBP44RC1N881S29AP | MBP44RC1N881S29AP SANGS SMD or Through Hole | MBP44RC1N881S29AP.pdf |