창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK32N90P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx32N90P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 300m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 215nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 960W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK32N90P | |
| 관련 링크 | IXFK32, IXFK32N90P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 600F101JT250XT | 100pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | 600F101JT250XT.pdf | |
![]() | GQM22M5C2H180JB01L | 18pF 500V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.80mm x 2.80mm) | GQM22M5C2H180JB01L.pdf | |
![]() | SF4C-F55 | PROTECTIVE HT 560MM CABLE TYPE | SF4C-F55.pdf | |
![]() | I1-548-4 | I1-548-4 HARRIS DIP | I1-548-4.pdf | |
![]() | M4A3-192/96-10VNC-12 | M4A3-192/96-10VNC-12 LATTICE TQFP | M4A3-192/96-10VNC-12.pdf | |
![]() | DAC349L-30 | DAC349L-30 ORIGINAL SMD or Through Hole | DAC349L-30 .pdf | |
![]() | ACS08/5S | ACS08/5S ST TO-92 | ACS08/5S.pdf | |
![]() | W3100A-F | W3100A-F ORIGINAL QFP | W3100A-F.pdf | |
![]() | CN1E4KTD620J | CN1E4KTD620J ORIGINAL SMD or Through Hole | CN1E4KTD620J.pdf | |
![]() | XC2V1000-4BF575 | XC2V1000-4BF575 XILINX BGA | XC2V1000-4BF575.pdf |