창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK32N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)32N80P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 32A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 270m옴 @ 16A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 150nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK32N80P | |
| 관련 링크 | IXFK32, IXFK32N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 1.5SMC120 | TVS DIODE 102VWM 173.25VC SMD | 1.5SMC120.pdf | |
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![]() | CRCW0402432RFKTD | RES SMD 432 OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402432RFKTD.pdf | |
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![]() | SC111815 | SC111815 MOTOROLA DIP | SC111815.pdf | |
![]() | NJM7762M | NJM7762M JRC SOP8 | NJM7762M.pdf | |
![]() | MAX537BESA | MAX537BESA MAXIM SOP8 | MAX537BESA.pdf | |
![]() | 74177N | 74177N RochesterElectron SMD or Through Hole | 74177N.pdf | |
![]() | RC1211-00 | RC1211-00 ROHM SMD or Through Hole | RC1211-00.pdf | |
![]() | STM140ARNI4Q6F | STM140ARNI4Q6F ST QFN | STM140ARNI4Q6F.pdf | |
![]() | SU43601V | SU43601V ORIGINAL DIP | SU43601V.pdf | |
![]() | TC05-4K224FT | TC05-4K224FT MITSUBISHI SMD or Through Hole | TC05-4K224FT.pdf |