창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFK30N110P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,X)30N110P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1100V(1.1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 360m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 235nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 960W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFK30N110P | |
관련 링크 | IXFK30, IXFK30N110P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
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12061A222GAT2A | 2200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12061A222GAT2A.pdf | ||
13R225C | 2.2mH Unshielded Wirewound Inductor 240mA 4.5 Ohm Max Radial | 13R225C.pdf | ||
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2150R-26J | 12µH Unshielded Molded Inductor 560mA 450 mOhm Max Axial | 2150R-26J.pdf | ||
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D231000C 054 | D231000C 054 NEC DIP-28 | D231000C 054.pdf | ||
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11AV4L26B4680G | 11AV4L26B4680G SAGAMI SMD | 11AV4L26B4680G.pdf | ||
MAX492ESA/CSA | MAX492ESA/CSA MAX SOP | MAX492ESA/CSA.pdf | ||
FSD20A | FSD20A Sanrex SMD or Through Hole | FSD20A.pdf |