창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFK26N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(K,X)26N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 26A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 390m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 197nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 11900pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 780W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFK26N100P | |
관련 링크 | IXFK26, IXFK26N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | S0402-10NH3S | 10nH Unshielded Wirewound Inductor 475mA 210 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | S0402-10NH3S.pdf | |
![]() | CPF1206B110KE1 | RES SMD 110K OHM 0.1% 1/8W 1206 | CPF1206B110KE1.pdf | |
![]() | RT0805WRB0776R8L | RES SMD 76.8 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRB0776R8L.pdf | |
![]() | ERX-2SJR75A | RES 0.75 OHM 2W 5% AXIAL | ERX-2SJR75A.pdf | |
![]() | AD7579JP | AD7579JP AD PLCC | AD7579JP.pdf | |
![]() | LT1021B/DCN8-10 | LT1021B/DCN8-10 LT DIP | LT1021B/DCN8-10.pdf | |
![]() | 046296033210883+ | 046296033210883+ ORIGINAL 33pin | 046296033210883+.pdf | |
![]() | CA45A E 47UF25V M | CA45A E 47UF25V M ORIGINAL SMD or Through Hole | CA45A E 47UF25V M.pdf | |
![]() | FQD5P10-NL | FQD5P10-NL FAIRCHILD SMD or Through Hole | FQD5P10-NL.pdf | |
![]() | 101CC1190EMK868 | 101CC1190EMK868 TI SMD or Through Hole | 101CC1190EMK868.pdf | |
![]() | CF745-04/P DIP | CF745-04/P DIP ORIGINAL SMD or Through Hole | CF745-04/P DIP.pdf | |
![]() | CXK5V81000ATM-55LL | CXK5V81000ATM-55LL SONY TSOP32 | CXK5V81000ATM-55LL.pdf |