창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK180N15P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)180N15P IXFx180N15P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 180A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 90A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 830W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK180N15P | |
| 관련 링크 | IXFK18, IXFK180N15P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 06035A100C4T2A | 10pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.032" W(1.60mm x 0.81mm) | 06035A100C4T2A.pdf | |
![]() | 1808WC681KAT1A | 680pF 2500V(2.5kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808WC681KAT1A.pdf | |
![]() | 445A3XB24M57600 | 24.576MHz ±30ppm 수정 13pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XB24M57600.pdf | |
![]() | E12102A | E12102A ELMOS SOP | E12102A.pdf | |
![]() | BEZELES-4548-FLF-18 | BEZELES-4548-FLF-18 LWOHHERNG SMD or Through Hole | BEZELES-4548-FLF-18.pdf | |
![]() | RGLD4X104J | RGLD4X104J MURATA SMD or Through Hole | RGLD4X104J.pdf | |
![]() | RDL30V600 | RDL30V600 ORIGINAL SMD or Through Hole | RDL30V600.pdf | |
![]() | PAM8403(3w) | PAM8403(3w) PAM SOP16 | PAM8403(3w).pdf | |
![]() | CXA20187 | CXA20187 SONY 42DIP | CXA20187.pdf | |
![]() | CO665108.000 | CO665108.000 RALTRON ORIGINAL | CO665108.000.pdf | |
![]() | KX14-40K5D-RE | KX14-40K5D-RE JAE/WSI SMD or Through Hole | KX14-40K5D-RE.pdf |