창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK160N30T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)160N30T | |
| 주요제품 | GigaMOS™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | GigaMOS™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 160A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 19m옴 @ 60A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 335nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 28000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1390W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK160N30T | |
| 관련 링크 | IXFK16, IXFK160N30T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | C0402T120J3GACTU | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | C0402T120J3GACTU.pdf | |
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![]() | ZR397411HGCF | ZR397411HGCF ORIGINAL SMD or Through Hole | ZR397411HGCF.pdf | |
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![]() | GMS81C1102-LG1.0 | GMS81C1102-LG1.0 HYNIX DIP16 | GMS81C1102-LG1.0.pdf | |
![]() | MAX1773EUP-T | MAX1773EUP-T Maxim 1976PCS-0220TSSOP | MAX1773EUP-T.pdf | |
![]() | MMBT8550DLT1 (150-200) | MMBT8550DLT1 (150-200) ON SOT-23 | MMBT8550DLT1 (150-200).pdf | |
![]() | JS-9MN-KT | JS-9MN-KT TAKAMISAWA SMD or Through Hole | JS-9MN-KT.pdf | |
![]() | LP211D * | LP211D * TIS Call | LP211D *.pdf |