창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFK140N30P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(K,X)140N30P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 140A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 70A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 185nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | TO-264AA(IXFK) | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFK140N30P | |
| 관련 링크 | IXFK14, IXFK140N30P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 4116R-1-274 | RES ARRAY 8 RES 270K OHM 16DIP | 4116R-1-274.pdf | |
![]() | PNP4WVJR-73-0R15 | RES 0.15 OHM 4W 5% AXIAL | PNP4WVJR-73-0R15.pdf | |
![]() | 295602L | 295602L ASN SMD or Through Hole | 295602L.pdf | |
![]() | XCV800FG676 | XCV800FG676 XILINX BGA | XCV800FG676.pdf | |
![]() | 24LC32AN | 24LC32AN MICROCHIP DIPOP | 24LC32AN.pdf | |
![]() | 21S8500PFD01L4783PQ | 21S8500PFD01L4783PQ IBM QFP | 21S8500PFD01L4783PQ.pdf | |
![]() | TE28F800F3T120 | TE28F800F3T120 ST TSOP | TE28F800F3T120.pdf | |
![]() | 201R14C1R0AV4T9CAP:1pF | 201R14C1R0AV4T9CAP:1pF JDI SMD or Through Hole | 201R14C1R0AV4T9CAP:1pF.pdf | |
![]() | RJF-6.3V222MH6 | RJF-6.3V222MH6 ELNA DIP-2 | RJF-6.3V222MH6.pdf | |
![]() | NRD336K16R12 | NRD336K16R12 NEC SMD or Through Hole | NRD336K16R12.pdf | |
![]() | DS36277TMX+ | DS36277TMX+ NSC SMD or Through Hole | DS36277TMX+.pdf | |
![]() | MR27V802D-60TP* | MR27V802D-60TP* ORIGINAL SOP-44 | MR27V802D-60TP*.pdf |