창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFJ26N50P3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFJ26N50P3 Preliminary | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 265m옴 @ 13A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 180W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247 | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFJ26N50P3 | |
관련 링크 | IXFJ26, IXFJ26N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ1812A562KBBAT4X | 5600pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812A562KBBAT4X.pdf | |
![]() | MAL219612334E3 | 330mF Supercap 5.5V Radial, Can 75 Ohm 1000 Hrs @ 70°C 0.512" Dia (13.00mm) | MAL219612334E3.pdf | |
![]() | TNPW0402665RBEED | RES SMD 665 OHM 0.1% 1/16W 0402 | TNPW0402665RBEED.pdf | |
![]() | PHP00603E1141BBT1 | RES SMD 1.14K OHM 0.1% 3/8W 0603 | PHP00603E1141BBT1.pdf | |
![]() | IRFR110NTR | IRFR110NTR IR SMD or Through Hole | IRFR110NTR.pdf | |
![]() | DHR-0910S | DHR-0910S HMC SOP | DHR-0910S.pdf | |
![]() | FH23-61S-0.3HW(05) | FH23-61S-0.3HW(05) HRS SMD | FH23-61S-0.3HW(05).pdf | |
![]() | 0533073090+ | 0533073090+ MOLEX SMD or Through Hole | 0533073090+.pdf | |
![]() | REB-3570-3E | REB-3570-3E ROYALTEK QFN | REB-3570-3E.pdf | |
![]() | 75LBC184DRG4 | 75LBC184DRG4 TI DIP-8 | 75LBC184DRG4.pdf | |
![]() | EM-1671-T5 | EM-1671-T5 AKM SMD or Through Hole | EM-1671-T5.pdf | |
![]() | AKAV | AKAV MAXIM SOT343 | AKAV.pdf |