창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFJ26N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFJ26N50P3 Preliminary | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 265m옴 @ 13A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 42nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2220pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFJ26N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFJ26, IXFJ26N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8008BI-21-25E-61.440000E | OSC XO 2.5V 61.44MHZ OE | SIT8008BI-21-25E-61.440000E.pdf | |
![]() | EPM9560ARC240-10F | EPM9560ARC240-10F ALTERA Call | EPM9560ARC240-10F.pdf | |
![]() | 00N5237 | 00N5237 IBM SMD or Through Hole | 00N5237.pdf | |
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![]() | PLH10AS1612R1P2 | PLH10AS1612R1P2 MURATA DIP | PLH10AS1612R1P2.pdf | |
![]() | FTR-F3AA005E-HA(F3AA005E-HA) | FTR-F3AA005E-HA(F3AA005E-HA) ORIGINAL SMD or Through Hole | FTR-F3AA005E-HA(F3AA005E-HA).pdf | |
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![]() | OPI10209 | OPI10209 TRW DIP-6 | OPI10209.pdf | |
![]() | 2N2221AL | 2N2221AL MICROSEMI SMD | 2N2221AL.pdf | |
![]() | MSTB1.5 | MSTB1.5 PHOENIX SMD or Through Hole | MSTB1.5.pdf |