창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH96N20P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T,V)96N20P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | PolarHT™ HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 96A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 145nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 600W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH96N20P | |
| 관련 링크 | IXFH96, IXFH96N20P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
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![]() | VJ0805D120FXXAC | 12pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D120FXXAC.pdf | |
![]() | SIT9002AI-08N18EB | 1MHz ~ 220MHz LVPECL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | SIT9002AI-08N18EB.pdf | |
![]() | ET1100-24.576MHZ | ET1100-24.576MHZ ECLP SMD or Through Hole | ET1100-24.576MHZ.pdf | |
![]() | PLD20RA10-30JC | PLD20RA10-30JC CYP SMD or Through Hole | PLD20RA10-30JC.pdf | |
![]() | SGM8524XTS | SGM8524XTS SGMC TSSOP-16 | SGM8524XTS.pdf | |
![]() | XC2C256TM7FT256CMSC | XC2C256TM7FT256CMSC XILINX BGA | XC2C256TM7FT256CMSC.pdf | |
![]() | 1-747579-2 | 1-747579-2 AMP/TYCO AMP | 1-747579-2.pdf | |
![]() | 215R8LAGA12F | 215R8LAGA12F ATI BGA | 215R8LAGA12F.pdf | |
![]() | K4S641632K-UC75T00 (2660-0040) | K4S641632K-UC75T00 (2660-0040) SAMSUNG SMD or Through Hole | K4S641632K-UC75T00 (2660-0040).pdf | |
![]() | 74453156 | 74453156 WurthElektronik Typ M | 74453156.pdf | |
![]() | 320W18BO | 320W18BO INTEL BGA | 320W18BO.pdf |