창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH7N90Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,T)7N90Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 900V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 7A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.5옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 180W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH7N90Q | |
| 관련 링크 | IXFH7, IXFH7N90Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 35SZV10M5X5.5 | 10µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | 35SZV10M5X5.5.pdf | |
![]() | B43601A5567M62 | 560µF 450V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 190 mOhm @ 100Hz 10000 Hrs @ 85°C | B43601A5567M62.pdf | |
![]() | 416F32013CKT | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013CKT.pdf | |
![]() | 416F32033IAT | 32MHz ±30ppm 수정 10pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32033IAT.pdf | |
![]() | FT232HL-R | FT232HL-R FTDI LQFP48 | FT232HL-R.pdf | |
![]() | NT93420AH-0H216 | NT93420AH-0H216 ORIGINAL SMD or Through Hole | NT93420AH-0H216.pdf | |
![]() | 21.400MHz (HDF0003)-XA1 | 21.400MHz (HDF0003)-XA1 INFNEON SMD or Through Hole | 21.400MHz (HDF0003)-XA1.pdf | |
![]() | MJE800T | MJE800T ISC TO-220 | MJE800T.pdf | |
![]() | RPC50161-J | RPC50161-J ORIGINAL SMD or Through Hole | RPC50161-J.pdf | |
![]() | TL2575-33 | TL2575-33 TI TO263-5 | TL2575-33.pdf |