창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH70N30Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx70N30Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 54m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 98nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4735pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 830W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH70N30Q3 | |
관련 링크 | IXFH70, IXFH70N30Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | HA11811ANT | HA11811ANT HI DIP-30P | HA11811ANT.pdf | |
![]() | CA730074A | CA730074A ICS SSOP | CA730074A.pdf | |
![]() | WND-2006 | WND-2006 ORIGINAL SMD or Through Hole | WND-2006.pdf | |
![]() | LB1832V-TRM-E | LB1832V-TRM-E SANYO TSSOP | LB1832V-TRM-E.pdf | |
![]() | TLP222A-2-F | TLP222A-2-F Toshiba SMD or Through Hole | TLP222A-2-F.pdf | |
![]() | UA836DC | UA836DC FSC CDIP | UA836DC.pdf | |
![]() | WT5200UG | WT5200UG Weltrend QFN | WT5200UG.pdf | |
![]() | K3750HB(29.491200MHZ) | K3750HB(29.491200MHZ) CHUNGHO SMD or Through Hole | K3750HB(29.491200MHZ).pdf | |
![]() | 1N3170A | 1N3170A microsemi DO-9 | 1N3170A.pdf | |
![]() | CHK-7M3 | CHK-7M3 synergymwave SMD or Through Hole | CHK-7M3.pdf | |
![]() | CRA2010JZR030ELJ | CRA2010JZR030ELJ VISHAY SMD | CRA2010JZR030ELJ.pdf |