창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH6N120P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(A,P,H)6N120P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 6A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 2.4옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 92nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2830pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 250W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH6N120P | |
관련 링크 | IXFH6N, IXFH6N120P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
MMBZ33VAWT1G | TVS DIODE 26VWM 46VC SC70-3 | MMBZ33VAWT1G.pdf | ||
MM3Z15VST1G | DIODE ZENER 14.66V 200MW SOD323 | MM3Z15VST1G.pdf | ||
CM322522-R39ML | 390nH Unshielded Wirewound Inductor 305mA 390 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | CM322522-R39ML.pdf | ||
4445-17K | 220nH Unshielded Toroidal Inductor 1.5A 80 mOhm Max Radial | 4445-17K.pdf | ||
ERJ-6ENF1101V | RES SMD 1.1K OHM 1% 1/8W 0805 | ERJ-6ENF1101V.pdf | ||
dt7140LA25J | dt7140LA25J IDT PLCC52 | dt7140LA25J.pdf | ||
LPC2290FBD | LPC2290FBD NXP LQFP | LPC2290FBD.pdf | ||
IDT7142LA-25J | IDT7142LA-25J IDT PLCC-52 | IDT7142LA-25J.pdf | ||
2SK3467. | 2SK3467. ORIGINAL SOT-263 | 2SK3467..pdf | ||
250UK4R7 | 250UK4R7 AVAGO SMD or Through Hole | 250UK4R7.pdf | ||
CE0411G88DCA001RB2 | CE0411G88DCA001RB2 MURATA SMD or Through Hole | CE0411G88DCA001RB2.pdf | ||
BR9016RFV | BR9016RFV ROHM TSSOP-8 | BR9016RFV.pdf |