창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH60N50P3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(T,Q,H)60N50P3 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, Polar3™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 60A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 30A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 96nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1040W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 다른 이름 | 625876 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH60N50P3 | |
| 관련 링크 | IXFH60, IXFH60N50P3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | SCAJ1F | BRIDGE RECT 1.5A 100V | SCAJ1F.pdf | |
|  | HAL 50-S | Current Sensor 50A 1 Channel Hall Effect, Open Loop Bidirectional Module | HAL 50-S.pdf | |
|  | B9724 | B9724 EPCOS SMD or Through Hole | B9724.pdf | |
|  | ATF-33143-TR1G TEL:82766440 | ATF-33143-TR1G TEL:82766440 HP SMD or Through Hole | ATF-33143-TR1G TEL:82766440.pdf | |
|  | HSC-A3-D2(06) | HSC-A3-D2(06) HRS SMD or Through Hole | HSC-A3-D2(06).pdf | |
|  | Y32A51410FP | Y32A51410FP ORIGINAL SMD or Through Hole | Y32A51410FP.pdf | |
|  | K6R4008V1D-JC10000 | K6R4008V1D-JC10000 Samsung SMD or Through Hole | K6R4008V1D-JC10000.pdf | |
|  | M7817-001 | M7817-001 OKI QFP | M7817-001.pdf | |
|  | ST6205BS23RG | ST6205BS23RG STANSON SOT23-3 | ST6205BS23RG.pdf | |
|  | MBM29DL32TF70TN-K | MBM29DL32TF70TN-K FUJITSU TSOP | MBM29DL32TF70TN-K.pdf | |
|  | PM-IS61 | PM-IS61 N/A SMD or Through Hole | PM-IS61.pdf | |
|  | V7-1S17D8-263 | V7-1S17D8-263 ORIGINAL SMD or Through Hole | V7-1S17D8-263.pdf |