창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH52N50P2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFH/FT52N50P2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarHV™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 52A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 120m옴 @ 26A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 113nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6800pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 960W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH52N50P2 | |
관련 링크 | IXFH52, IXFH52N50P2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | BZX84C5V1-HE3-08 | DIODE ZENER 5.1V 300MW SOT23-3 | BZX84C5V1-HE3-08.pdf | |
![]() | 28L0138-40R-10 | 135 Ohm Impedance Ferrite Bead Axial Through Hole 5A 1 Lines 10 mOhm Max DCR | 28L0138-40R-10.pdf | |
![]() | RP73D1J18K2BTG | RES SMD 18.2KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RP73D1J18K2BTG.pdf | |
![]() | RCP1206W25R0GS2 | RES SMD 25 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206W25R0GS2.pdf | |
![]() | H423K7BCA | RES 23.7K OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H423K7BCA.pdf | |
![]() | 1084-5.0 | 1084-5.0 BCD/NS TO-252 | 1084-5.0.pdf | |
![]() | HIT667/647-E-Q | HIT667/647-E-Q PEN TO-92 | HIT667/647-E-Q.pdf | |
![]() | 13545280 | 13545280 POWERSIGNALGROUP SMD or Through Hole | 13545280.pdf | |
![]() | 973-PDD01 | 973-PDD01 PHI QFP80 | 973-PDD01.pdf | |
![]() | EP20K300EBI652 | EP20K300EBI652 Infineon TQFP | EP20K300EBI652.pdf | |
![]() | TEST0000TE-STE | TEST0000TE-STE ISSI TSOP | TEST0000TE-STE.pdf |