창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH50N30Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx50N30Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 80m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 65nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3160pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 690W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH50N30Q3 | |
| 관련 링크 | IXFH50, IXFH50N30Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | XRCGB25M000F2P00R0 | 25MHz ±20ppm 수정 6pF 150옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | XRCGB25M000F2P00R0.pdf | |
![]() | MCR50JZHF1741 | RES SMD 1.74K OHM 1% 1/2W 2010 | MCR50JZHF1741.pdf | |
![]() | TUA6034TA1 | TUA6034TA1 Infineon TSSOP38 | TUA6034TA1.pdf | |
![]() | MC14502BALR | MC14502BALR MOT DIP | MC14502BALR.pdf | |
![]() | SAF38.9MS70P | SAF38.9MS70P MURATA SMD or Through Hole | SAF38.9MS70P.pdf | |
![]() | 6800GT | 6800GT NVIDIA BGA | 6800GT.pdf | |
![]() | HEF4541BT,518 | HEF4541BT,518 PHILIPS/NXP N A | HEF4541BT,518.pdf | |
![]() | SM564043574NWAA/K4S641632CT | SM564043574NWAA/K4S641632CT SAM DIMM | SM564043574NWAA/K4S641632CT.pdf | |
![]() | SC147-A-B | SC147-A-B ORIGINAL TO-92S | SC147-A-B.pdf | |
![]() | AD9617AD | AD9617AD AD CDIP-8 | AD9617AD.pdf | |
![]() | 6681Z | 6681Z FDS SOP8 | 6681Z.pdf | |
![]() | 88I6380-E1-BDR-I000 | 88I6380-E1-BDR-I000 MARVELL SMD or Through Hole | 88I6380-E1-BDR-I000.pdf |