창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH46N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH46N65X2 Preliminary | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 46A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 76m옴 @ 23A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 75nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4810pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 660W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH46N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFH46, IXFH46N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
|  | EPB2052NPIC1.5 | EPB2052NPIC1.5 SIEMES PLCC | EPB2052NPIC1.5.pdf | |
|  | TPS2075DBG4 | TPS2075DBG4 TexasInstruments sopdip | TPS2075DBG4.pdf | |
|  | M4-0509SSL | M4-0509SSL MRUI SIP | M4-0509SSL.pdf | |
|  | C3216C0G1E473JT | C3216C0G1E473JT TDK SMD | C3216C0G1E473JT.pdf | |
|  | R5F3640MNFBU0 | R5F3640MNFBU0 Renesas SMD or Through Hole | R5F3640MNFBU0.pdf | |
|  | BDW93C-S | BDW93C-S BOURNS SMD or Through Hole | BDW93C-S.pdf | |
|  | H11A617D3S | H11A617D3S Fairchi SMD or Through Hole | H11A617D3S.pdf | |
|  | LBAT54AWT1G | LBAT54AWT1G LRC SOT-323 | LBAT54AWT1G.pdf | |
|  | 74LV174PW | 74LV174PW PHI TSSOP | 74LV174PW.pdf | |
|  | XC2018-70PG84M5962-8863804XC | XC2018-70PG84M5962-8863804XC XILINX PGA84 | XC2018-70PG84M5962-8863804XC.pdf | |
|  | C627(657266) | C627(657266) ASAT BGA | C627(657266).pdf | |
|  | BYW77G200 | BYW77G200 PH/ST SOT-263 | BYW77G200.pdf |