창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH34N65X2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx34N65X2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 650V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 34A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 105m옴 @ 17A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3330pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 540W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247 | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH34N65X2 | |
| 관련 링크 | IXFH34, IXFH34N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | TK4A53D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 525V 4A TO-220SIS | TK4A53D(STA4,Q,M).pdf | |
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![]() | RG3216P-6800-D-T5 | RES SMD 680 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RG3216P-6800-D-T5.pdf | |
![]() | CST4.19MGW-TF01 | CST4.19MGW-TF01 ORIGINAL SMD-DIP | CST4.19MGW-TF01.pdf | |
![]() | TC1412-GB | TC1412-GB ORIGINAL BGA | TC1412-GB.pdf | |
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![]() | FBRI10-5N | FBRI10-5N ORIGINAL SMD or Through Hole | FBRI10-5N.pdf | |
![]() | AMI118-059-A | AMI118-059-A AMI PLCC44 | AMI118-059-A.pdf | |
![]() | 74AVCM162835DG | 74AVCM162835DG PHILIPS ORIGINAL | 74AVCM162835DG.pdf |