창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH30N50Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFx30N50Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 200m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 62nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3200pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 690W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH30N50Q3 | |
관련 링크 | IXFH30, IXFH30N50Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | UWF1A101MCL1GS | 100µF 10V Aluminum Capacitors Radial, Can - SMD 1000 Hrs @ 105°C | UWF1A101MCL1GS.pdf | |
![]() | VJ1812Y391KBBAT4X | 390pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1812(4532 미터법) 0.183" L x 0.126" W(4.65mm x 3.20mm) | VJ1812Y391KBBAT4X.pdf | |
![]() | HSMS-280P-BLKG | DIODE SCHOTT RF QUAD 70V SOT-363 | HSMS-280P-BLKG.pdf | |
![]() | ERA-8ARB4122V | RES SMD 41.2K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB4122V.pdf | |
![]() | 3038-0050 | Accelerometer Z Axis ±50g 1kHz Hermetic LCC | 3038-0050.pdf | |
![]() | UC3007 | UC3007 ORIGINAL SMD or Through Hole | UC3007.pdf | |
![]() | 28-21VGCTR3-T1 | 28-21VGCTR3-T1 TAIWAN 2821 | 28-21VGCTR3-T1.pdf | |
![]() | PCD3332T | PCD3332T PHILIPS SOP | PCD3332T.pdf | |
![]() | AD9954YSVZ-REEL7 | AD9954YSVZ-REEL7 ADI SMD or Through Hole | AD9954YSVZ-REEL7.pdf | |
![]() | DDR-SJE-Q2 | DDR-SJE-Q2 DOMINAT ROHS | DDR-SJE-Q2.pdf | |
![]() | F426 | F426 FAIRCHILD QFN | F426.pdf | |
![]() | 71WS512NDOBFWE7 | 71WS512NDOBFWE7 SPANSION BGA | 71WS512NDOBFWE7.pdf |