창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH230N10T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH230N10T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 250nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15300pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 650W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH230N10T | |
| 관련 링크 | IXFH23, IXFH230N10T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ABL-24.576MHZ-B4Y-T | 24.576MHz ±30ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ABL-24.576MHZ-B4Y-T.pdf | |
![]() | 416F30023CTR | 30MHz ±20ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F30023CTR.pdf | |
| 591WA-CDG | 215MHz ~ 524.999MHz CML XO (Standard) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 110mA Enable/Disable | 591WA-CDG.pdf | ||
![]() | SKRAAQE010 | SKRAAQE010 ALPS SMD or Through Hole | SKRAAQE010.pdf | |
![]() | ELM7SH02TEL | ELM7SH02TEL ELM SOT-353 | ELM7SH02TEL.pdf | |
![]() | ST28EE011-286-3CF | ST28EE011-286-3CF SST DIP | ST28EE011-286-3CF.pdf | |
![]() | 3-1746220-3 | 3-1746220-3 AMP/TYCO SMD or Through Hole | 3-1746220-3.pdf | |
![]() | BU25080F | BU25080F N/A N A | BU25080F.pdf | |
![]() | TC68HC000P10 | TC68HC000P10 TOSHIBA DIP | TC68HC000P10.pdf | |
![]() | CS4N60A3RD | CS4N60A3RD ORIGINAL TO-251 | CS4N60A3RD.pdf | |
![]() | ZMM5248B(18V) | ZMM5248B(18V) DIODES LL34 | ZMM5248B(18V).pdf | |
![]() | 29F128G08CJAAAWC:A | 29F128G08CJAAAWC:A MICRON TSOP | 29F128G08CJAAAWC:A.pdf |