창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH230N075T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH230N075T2 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchT2™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 230A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.2m옴 @ 50A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 250µA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 178nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 10500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 480W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH230N075T2 | |
| 관련 링크 | IXFH230, IXFH230N075T2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0402D1R5DXCAP | 1.5pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R5DXCAP.pdf | |
![]() | RPER71H335K3M1C60A | 3.3µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.217" L x 0.157" W(5.50mm x 4.00mm) | RPER71H335K3M1C60A.pdf | |
| TJT15015RJ | RES CHAS MNT 15 OHM 5% 150W | TJT15015RJ.pdf | ||
![]() | AT0805DRD0797R6L | RES SMD 97.6 OHM 0.5% 1/8W 0805 | AT0805DRD0797R6L.pdf | |
![]() | RT0603WRC0711K8L | RES SMD 11.8K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRC0711K8L.pdf | |
![]() | AF122-FR-073K01L | RES ARRAY 2 RES 3.01K OHM 0404 | AF122-FR-073K01L.pdf | |
![]() | JS1-12V | JS1-12V ORIGINAL DIP | JS1-12V.pdf | |
![]() | XTC7009 | XTC7009 RFM SMD | XTC7009.pdf | |
![]() | C137E | C137E GE SMD or Through Hole | C137E.pdf | |
![]() | HSJ0926-01-1010 | HSJ0926-01-1010 Hosiden SMD or Through Hole | HSJ0926-01-1010.pdf | |
![]() | CS5143EDR8G | CS5143EDR8G ON SOP-8 | CS5143EDR8G.pdf | |
![]() | L602C | L602C ST DIP | L602C.pdf |