IXYS IXFH22N65X2

IXFH22N65X2
제조업체 부품 번호
IXFH22N65X2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 650V 22A TO-247
데이터 시트 다운로드
다운로드
IXFH22N65X2 가격 및 조달

가능 수량

8610 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,783.37940
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 IXFH22N65X2 재고가 있습니다. 우리는 IXYS 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 IXYS 전자 부품 전문. IXFH22N65X2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. IXFH22N65X2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
IXFH22N65X2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
IXFH22N65X2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-IXFH22N65X2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서IXF(A,H,P)22N65X2
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체IXYS
계열HiPerFET™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)650V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C22A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs160m옴 @ 11A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5.5V @ 1.5mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs38nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2310pF @ 25V
전력 - 최대390W
작동 온도-55°C ~ 150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-247-3
공급 장치 패키지TO-247
표준 포장 50
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)IXFH22N65X2
관련 링크IXFH22, IXFH22N65X2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통
IXFH22N65X2 의 관련 제품
RES SMD 57.6 OHM 0.1% 1/16W 0402 TNPW040257R6BEED.pdf
RES .02 OHM 1% 1W AXIAL WW LVR01R0200FE70.pdf
RES 3.9K OHM 10W 5% AXIAL 20J3K9.pdf
P5CN072EHN/TOPBS084 NXP QFN P5CN072EHN/TOPBS084.pdf
ELJPB221KF PANASONIC SMD ELJPB221KF.pdf
385 0358 1 40 400 COMATEL SMD or Through Hole 385 0358 1 40 400.pdf
9300241441 hat SMD or Through Hole 9300241441.pdf
AZ1085S2-1.5TR BCD TO-263 AZ1085S2-1.5TR.pdf
IDT75K62100S100RX IDT BGA IDT75K62100S100RX.pdf
KM4101000BJ-8 ORIGINAL SOP KM4101000BJ-8.pdf
GPCH8001A-VERC SUNPLUS SMD or Through Hole GPCH8001A-VERC.pdf
BQ014E0822J AVX DIP BQ014E0822J.pdf