창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH20N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXF(H,T)20N100P | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 20A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 570m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 126nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 660W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH20N100P | |
관련 링크 | IXFH20, IXFH20N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
GDZ2V4B-HG3-08 | DIODE ZENER 2.4V 200MW SOD323 | GDZ2V4B-HG3-08.pdf | ||
MGV1203R22M-10 | 220nH Shielded Wirewound Inductor 38.5A 1.3 mOhm Max Nonstandard | MGV1203R22M-10.pdf | ||
ERA-2APB2152X | RES SMD 21.5KOHM 0.1% 1/16W 0402 | ERA-2APB2152X.pdf | ||
YC248-JR-078K2L | RES ARRAY 8 RES 8.2K OHM 1606 | YC248-JR-078K2L.pdf | ||
T494U686K004AS | T494U686K004AS KEMET SMD | T494U686K004AS.pdf | ||
LT1640AHCS8#TRPBF | LT1640AHCS8#TRPBF LT SOP8 | LT1640AHCS8#TRPBF.pdf | ||
BYX60-600R | BYX60-600R PHILIPS DO-4 | BYX60-600R.pdf | ||
SP4G0816 | SP4G0816 ORIGINAL SOP8 | SP4G0816.pdf | ||
TE28F320C30A110 | TE28F320C30A110 INTEL SMD or Through Hole | TE28F320C30A110.pdf | ||
70V621L25PF | 70V621L25PF IDT QFP | 70V621L25PF.pdf | ||
DG413FDY+T | DG413FDY+T Maxim SMD or Through Hole | DG413FDY+T.pdf | ||
MTVA0300N09W3 | MTVA0300N09W3 EMC CHIP | MTVA0300N09W3.pdf |