창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH18N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH18N60P, IXFV18N60P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 18A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 400m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 50nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2500pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH18N60P | |
| 관련 링크 | IXFH18, IXFH18N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | RA2-6V331MF3 | RA2-6V331MF3 ELNA DIP | RA2-6V331MF3.pdf | |
![]() | GRM0335C1E9R5WD01D | GRM0335C1E9R5WD01D murata SMD or Through Hole | GRM0335C1E9R5WD01D.pdf | |
![]() | 3*7 4P/2p | 3*7 4P/2p ORIGINAL SMD or Through Hole | 3*7 4P/2p.pdf | |
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![]() | MAPDCT0026 | MAPDCT0026 M/A-COM SMD or Through Hole | MAPDCT0026.pdf | |
![]() | K7P803611M-HC26000 | K7P803611M-HC26000 SAMSUNG BGA119 | K7P803611M-HC26000.pdf | |
![]() | FS10KM_6 | FS10KM_6 ORIGINAL TO 220 | FS10KM_6.pdf | |
![]() | ADR5044ARTZ-RE TEL:82766440 | ADR5044ARTZ-RE TEL:82766440 Analog SMD or Through Hole | ADR5044ARTZ-RE TEL:82766440.pdf | |
![]() | ADS7870EA TEL:82766440 | ADS7870EA TEL:82766440 BB SSOP28 | ADS7870EA TEL:82766440.pdf | |
![]() | 0603CG470J500 | 0603CG470J500 HEC SMD or Through Hole | 0603CG470J500.pdf | |
![]() | HD6433714D88H. | HD6433714D88H. HITACHI QFP | HD6433714D88H..pdf | |
![]() | HYB18T256161AF-3 | HYB18T256161AF-3 Infineon FBGA | HYB18T256161AF-3.pdf |