창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH15N100Q3 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFx15N100Q3 | |
| 주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.05옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3250pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 690W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH15N100Q3 | |
| 관련 링크 | IXFH15N, IXFH15N100Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | GRM0335C1H181JA01D | 180pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0335C1H181JA01D.pdf | |
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![]() | Y0089665R000AR13L | RES 665 OHM 0.6W 0.05% RADIAL | Y0089665R000AR13L.pdf | |
![]() | P51-50-G-O-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-O-I36-4.5OVP-000-000.pdf | |
![]() | L6521241 | L6521241 IR TO-3 | L6521241.pdf | |
![]() | F2412D-2W | F2412D-2W MORNSUN SIPDIP | F2412D-2W.pdf | |
![]() | TLA1003E | TLA1003E TDK DIP16 | TLA1003E.pdf | |
![]() | M1517-A1C | M1517-A1C NVIDIA BGA | M1517-A1C.pdf | |
![]() | LT1872BES6 | LT1872BES6 LINEAR SMD | LT1872BES6.pdf | |
![]() | R6675-40(RFX96V24- | R6675-40(RFX96V24- CONEXANT QFP100 | R6675-40(RFX96V24-.pdf | |
![]() | 74V2T14STR | 74V2T14STR ST SMD or Through Hole | 74V2T14STR.pdf | |
![]() | LP75-065 | LP75-065 LP DIP | LP75-065.pdf |