창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH15N100P | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFH-FV15N100P/PS | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™, PolarP2™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 760m옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 97nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 5140pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 543W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH15N100P | |
관련 링크 | IXFH15, IXFH15N100P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | Y1481500R000F0L | RES 500 OHM 10W 1% RADIAL | Y1481500R000F0L.pdf | |
![]() | RC2152JK-07300R | RC2152JK-07300R YAGEO SMD or Through Hole | RC2152JK-07300R.pdf | |
![]() | LTC2951CTS8-1#TRPBF | LTC2951CTS8-1#TRPBF LT TSOT-8 | LTC2951CTS8-1#TRPBF.pdf | |
![]() | 74ACT573E | 74ACT573E MALAY DIP-20 | 74ACT573E.pdf | |
![]() | 199DTH(LUNDEY) | 199DTH(LUNDEY) N/A SMD or Through Hole | 199DTH(LUNDEY).pdf | |
![]() | NRC336M10R | NRC336M10R NEC 10V33 | NRC336M10R.pdf | |
![]() | SKND46/02 | SKND46/02 SEMIKRON SMD or Through Hole | SKND46/02.pdf | |
![]() | 208474-1 | 208474-1 TYCO SMD or Through Hole | 208474-1.pdf | |
![]() | MAX5026EUS+T | MAX5026EUS+T MAXIM SOT23-6 | MAX5026EUS+T.pdf | |
![]() | SATSR826MSA5T01R00 | SATSR826MSA5T01R00 MURATA SMD or Through Hole | SATSR826MSA5T01R00.pdf | |
![]() | NB2304AI1DR2 | NB2304AI1DR2 ONSEMI SOIC-8-BS | NB2304AI1DR2.pdf | |
![]() | GRM42-6X5R106K6.3V537/T161 | GRM42-6X5R106K6.3V537/T161 MURATA SMD | GRM42-6X5R106K6.3V537/T161.pdf |