창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH13N80 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | ||
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH/IXFM(11,13)N80 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 800m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 155nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4200pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 300W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH13N80 | |
| 관련 링크 | IXFH1, IXFH13N80 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT8209AI-G2-33E-163.200000T | OSC XO 3.3V 163.2MHZ OE | SIT8209AI-G2-33E-163.200000T.pdf | |
![]() | CDRR94ANP-3R3MC | 3.3µH Shielded Inductor 3.8A 23.4 mOhm Max Nonstandard | CDRR94ANP-3R3MC.pdf | |
![]() | AT93V46-10PC | AT93V46-10PC ATMEL DIP-8 | AT93V46-10PC.pdf | |
![]() | IDT7009L15PF | IDT7009L15PF IDT SMD or Through Hole | IDT7009L15PF.pdf | |
![]() | P323HSS2008G | P323HSS2008G ZILOG SOP | P323HSS2008G.pdf | |
![]() | 32R2201RV-6 | 32R2201RV-6 SSI SSOP | 32R2201RV-6.pdf | |
![]() | 2SK3385 | 2SK3385 TOS TO-252 | 2SK3385.pdf | |
![]() | MUR8SN | MUR8SN ON SMD or Through Hole | MUR8SN.pdf | |
![]() | XC6383A531PR | XC6383A531PR TOREX SOT-89 | XC6383A531PR.pdf | |
![]() | 3VV8M | 3VV8M ORIGINAL QFN | 3VV8M.pdf | |
![]() | K4S561632E-TC/UC75 | K4S561632E-TC/UC75 SAMSUNG TSSOP54 | K4S561632E-TC/UC75.pdf | |
![]() | BU5281SG-TR | BU5281SG-TR ROHM SMD or Through Hole | BU5281SG-TR.pdf |