창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH12N80P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXF(H,Q,V)12N80P/PS | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 850m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 2.5mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 51nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2800pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 360W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH12N80P | |
| 관련 링크 | IXFH12, IXFH12N80P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D270JXXAC | 27pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D270JXXAC.pdf | |
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![]() | RC82562GZ | RC82562GZ INTEL BGA | RC82562GZ.pdf | |
![]() | MB29LV004T-10PTN | MB29LV004T-10PTN FUJITSU TSSOP40 | MB29LV004T-10PTN.pdf | |
![]() | AT3160NZO | AT3160NZO ST DIP20 | AT3160NZO.pdf | |
![]() | HZ12B3LTD | HZ12B3LTD ORIGINAL SMD or Through Hole | HZ12B3LTD.pdf | |
![]() | REA2R2M1H0511 | REA2R2M1H0511 ORIGINAL SMD or Through Hole | REA2R2M1H0511.pdf | |
![]() | 3W240V | 3W240V FAGOR SMD DIP | 3W240V.pdf | |
![]() | LPN4S101S6LR | LPN4S101S6LR NS TQFP | LPN4S101S6LR.pdf | |
![]() | BU4228G | BU4228G ROHM SOT-153 SOT-23-5 | BU4228G.pdf |