창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFH12N120 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFH12N120 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1200V(1.2kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 12A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.4옴 @ 500mA, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 95nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3400pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 500W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-247-3 | |
공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
표준 포장 | 30 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFH12N120 | |
관련 링크 | IXFH12, IXFH12N120 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 80D562P035JD2DE3 | 5600µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | 80D562P035JD2DE3.pdf | |
![]() | C3392-10.000 | 10MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 18mA Enable/Disable | C3392-10.000.pdf | |
![]() | PAT0603E2400BST1 | RES SMD 240 OHM 0.1% 0.15W 0603 | PAT0603E2400BST1.pdf | |
![]() | SI-3008KWFE | SI-3008KWFE SANKEN TO220-5 | SI-3008KWFE.pdf | |
![]() | LXM160VSSN470M22BE0 | LXM160VSSN470M22BE0 Chemi-con NA | LXM160VSSN470M22BE0.pdf | |
![]() | MLX39291028 | MLX39291028 MOLEX SMD or Through Hole | MLX39291028.pdf | |
![]() | DS90C385AMT/ NOPB | DS90C385AMT/ NOPB NS TSSOP | DS90C385AMT/ NOPB.pdf | |
![]() | H6761-68 | H6761-68 H- SMD or Through Hole | H6761-68.pdf | |
![]() | GPHB201-1802A94 | GPHB201-1802A94 ORIGINAL SMD or Through Hole | GPHB201-1802A94.pdf | |
![]() | 2SA715-B | 2SA715-B HITACHI TO-126 | 2SA715-B.pdf | |
![]() | HEF4541B | HEF4541B NXP DIP-14 | HEF4541B.pdf | |
![]() | B37979G1100J51 | B37979G1100J51 SIEM SMD or Through Hole | B37979G1100J51.pdf |