창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFH110N25T | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFH110N25T | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | TrenchHV™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 110A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 24m옴 @ 55A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 3mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 157nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 694W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-247-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-247AD(IXFH) | |
| 표준 포장 | 30 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFH110N25T | |
| 관련 링크 | IXFH11, IXFH110N25T 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-163-18-7SX-TR | 16.384MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | ECS-163-18-7SX-TR.pdf | |
![]() | ASTMHTE-66.666MHZ-XR-E | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-66.666MHZ-XR-E.pdf | |
![]() | GS88316AT | GS88316AT GS QFP | GS88316AT.pdf | |
![]() | F951A476MECDSTQ2 | F951A476MECDSTQ2 NICHICON 47UF10V-BF95 | F951A476MECDSTQ2.pdf | |
![]() | PCD50923H/C69 | PCD50923H/C69 PHILIPS QFP | PCD50923H/C69.pdf | |
![]() | PCM69AU1T2 | PCM69AU1T2 BB SOP-20 | PCM69AU1T2.pdf | |
![]() | ACF451832-101 | ACF451832-101 TDK SMD or Through Hole | ACF451832-101.pdf | |
![]() | 74LV14APW1G | 74LV14APW1G PHILIPS TSSOP-14 | 74LV14APW1G.pdf | |
![]() | ECES1JV822UM | ECES1JV822UM VUF SMD or Through Hole | ECES1JV822UM.pdf | |
![]() | MT328012 | MT328012 ORIGINAL DIP | MT328012.pdf | |
![]() | H8ACS0PL0MCR-56M-C | H8ACS0PL0MCR-56M-C HYNIX FBGA | H8ACS0PL0MCR-56M-C.pdf | |
![]() | DAC1138K | DAC1138K AD SMD or Through Hole | DAC1138K.pdf |