창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFE80N50 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFE80N50 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 72A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 55m옴 @ 40A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9890pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 580W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFE80N50 | |
관련 링크 | IXFE8, IXFE80N50 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | MA-306 18.0000M-C0 | 18MHz ±50ppm 수정 18pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | MA-306 18.0000M-C0.pdf | |
![]() | MP4-1E-1U-4NN-03 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP4-1E-1U-4NN-03.pdf | |
![]() | CRCW06031M30FKEB | RES SMD 1.3M OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW06031M30FKEB.pdf | |
![]() | 74ACTQ373PC | 74ACTQ373PC F DIP | 74ACTQ373PC.pdf | |
![]() | MC61178 | MC61178 ON SOP20 | MC61178.pdf | |
![]() | 1H0165R-TU | 1H0165R-TU ORIGINAL TO-220F | 1H0165R-TU.pdf | |
![]() | 61174-1 | 61174-1 TECONNECTIVITY MATE-N-LOKSeriesPr | 61174-1.pdf | |
![]() | LA7031F | LA7031F SANYO SMD or Through Hole | LA7031F.pdf | |
![]() | SN74ABT652DBR | SN74ABT652DBR TI SSOP | SN74ABT652DBR.pdf | |
![]() | KMF50VB33RM6X11LL | KMF50VB33RM6X11LL NIPPON DIP | KMF50VB33RM6X11LL.pdf | |
![]() | 171839-02 | 171839-02 ORIGINAL DIP-8L | 171839-02.pdf |