창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFE73N30Q | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFE73N30Q | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 300V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 66A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 46m옴 @ 36.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 6400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 400W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFE73N30Q | |
| 관련 링크 | IXFE73, IXFE73N30Q 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | V20M120M-E3/4W | DIODE SCHOTTKY 10A 120V TO-220AB | V20M120M-E3/4W.pdf | |
![]() | RG1005N-2211-B-T5 | RES SMD 2.21KOHM 0.1% 1/16W 0402 | RG1005N-2211-B-T5.pdf | |
![]() | RS02B30R00FE70 | RES 30 OHM 3W 1% WW AXIAL | RS02B30R00FE70.pdf | |
![]() | CMF55600R00CHR6 | RES 600 OHM 1/2W 0.25% AXIAL | CMF55600R00CHR6.pdf | |
![]() | SC411356P | SC411356P MOT DIP20 | SC411356P.pdf | |
![]() | UDZS 5.1B TE-17(5.1V) | UDZS 5.1B TE-17(5.1V) ROHM SOD323 | UDZS 5.1B TE-17(5.1V).pdf | |
![]() | EBLC05C-LF- | EBLC05C-LF- PROTEK SMD or Through Hole | EBLC05C-LF-.pdf | |
![]() | TEA1752T | TEA1752T NXP SOP-16 | TEA1752T.pdf | |
![]() | 199D685X9016B1V1 | 199D685X9016B1V1 VISHAY DIP-2 | 199D685X9016B1V1.pdf | |
![]() | MD82C288-10A/B | MD82C288-10A/B INTEL SMD or Through Hole | MD82C288-10A/B.pdf | |
![]() | SC551602CFN2 | SC551602CFN2 MOTOROLA PLCC52 | SC551602CFN2.pdf | |
![]() | DM5432J/883B | DM5432J/883B NS DIP-14P( ) | DM5432J/883B.pdf |