창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFE50N50 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFE(55,50)N50 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 100m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4.5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 330nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 9400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFE50N50 | |
| 관련 링크 | IXFE5, IXFE50N50 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32013CKT | 32MHz ±10ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013CKT.pdf | |
![]() | IRFI630B | IRFI630B FSC TO-262 | IRFI630B.pdf | |
![]() | LE82GL960 SLA5U | LE82GL960 SLA5U INTEL BGA | LE82GL960 SLA5U.pdf | |
![]() | TLC372GP | TLC372GP ORIGINAL DIP8 | TLC372GP.pdf | |
![]() | LCX032ANB-8 | LCX032ANB-8 SONY SMD or Through Hole | LCX032ANB-8.pdf | |
![]() | L-914CK/4YDT | L-914CK/4YDT ORIGINAL SMD or Through Hole | L-914CK/4YDT.pdf | |
![]() | CV7479HRB | CV7479HRB ORIGINAL CAN6 | CV7479HRB.pdf | |
![]() | DSDK2000 | DSDK2000 MAXIM NA | DSDK2000.pdf | |
![]() | LMB1024M-1 | LMB1024M-1 NS SOP-8 | LMB1024M-1.pdf | |
![]() | PIC1251BGFN | PIC1251BGFN TI BGA | PIC1251BGFN.pdf | |
![]() | 194D336X9006F2 | 194D336X9006F2 Vishay SMD | 194D336X9006F2.pdf | |
![]() | QWV234AT5 | QWV234AT5 ORIGINAL PLCC | QWV234AT5.pdf |