창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFE48N50QD3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFE(44,48)N50QD2/3 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 41A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 110m옴 @ 24A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 4mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 190nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 8000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 400W | |
작동 온도 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 10 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFE48N50QD3 | |
관련 링크 | IXFE48N, IXFE48N50QD3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
GRM155C81A105KA12J | 1µF 10V 세라믹 커패시터 X6S 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155C81A105KA12J.pdf | ||
IRL3808S | IRL3808S IR TO-220 | IRL3808S.pdf | ||
1N60L-A | 1N60L-A ORIGINAL TO251 | 1N60L-A.pdf | ||
L812 | L812 ORIGINAL SOT23-5 | L812.pdf | ||
ST1S06 | ST1S06 ST QFN | ST1S06.pdf | ||
FI-A2012-331MJT | FI-A2012-331MJT CTC SMD | FI-A2012-331MJT.pdf | ||
PEF66016EV-2.1 | PEF66016EV-2.1 INFINEON BGA | PEF66016EV-2.1.pdf | ||
THGVS2G4D1BA14 | THGVS2G4D1BA14 TOSHIBA BGA | THGVS2G4D1BA14.pdf | ||
SMB2.5R-1/R700 | SMB2.5R-1/R700 DLV SMD or Through Hole | SMB2.5R-1/R700.pdf | ||
EGN13-14 | EGN13-14 FUJI SMD or Through Hole | EGN13-14.pdf | ||
CNY171300 | CNY171300 QTOPTOELECTRONICS SMD or Through Hole | CNY171300.pdf |