창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFE34N100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFE(36,34)N100 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 벌크 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 1000V(1kV) | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 280m옴 @ 17A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 455nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 15000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 580W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 섀시 실장 | |
패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFE34N100 | |
관련 링크 | IXFE34, IXFE34N100 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | VJ0805D181FXCAJ | 180pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D181FXCAJ.pdf | |
![]() | KLPC601.X | FUSE CRTRDGE 601A 600VAC/480VDC | KLPC601.X.pdf | |
![]() | H497R6BDA | RES 97.6 OHM 1/2W 0.1% AXIAL | H497R6BDA.pdf | |
![]() | C2520C-R12G | C2520C-R12G ORIGINAL 2520 | C2520C-R12G.pdf | |
![]() | ADP3160I | ADP3160I AD SO-3.9 | ADP3160I.pdf | |
![]() | 2SB792A(RS) | 2SB792A(RS) TOS TO-23 | 2SB792A(RS).pdf | |
![]() | C001-390647-A | C001-390647-A WHAYUAEONTECH SMD or Through Hole | C001-390647-A.pdf | |
![]() | CY7C466A-10JI | CY7C466A-10JI CY PLCC32 | CY7C466A-10JI.pdf | |
![]() | MEC3.579545 | MEC3.579545 MEC 2P | MEC3.579545.pdf | |
![]() | DG442LDQ-T1 | DG442LDQ-T1 SILICONIX SOIC16 | DG442LDQ-T1.pdf | |
![]() | 2SD780 DW1 | 2SD780 DW1 ORIGINAL SMD or Through Hole | 2SD780 DW1.pdf | |
![]() | 109P0412J3013 | 109P0412J3013 SANYO SMD or Through Hole | 109P0412J3013.pdf |