창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFE180N20 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFE180N20 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 158A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12m옴 @ 500mA, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 380nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 14400pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 500W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 섀시 실장 | |
| 패키지/케이스 | SOT-227-4, miniBLOC | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-227B | |
| 표준 포장 | 10 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFE180N20 | |
| 관련 링크 | IXFE18, IXFE180N20 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | CGA2B1X7R1A154K050BC | 0.15µF 10V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | CGA2B1X7R1A154K050BC.pdf | |
![]() | P6SMB27C | TVS DIODE 23.1VWM 39.38VC SMD | P6SMB27C.pdf | |
![]() | H11A4S1(TA) | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-SMD | H11A4S1(TA).pdf | |
![]() | RT0805DRE07392RL | RES SMD 392 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE07392RL.pdf | |
![]() | ERJ-S1DF9763U | RES SMD 976K OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-S1DF9763U.pdf | |
![]() | FBR221SAD006 | FBR221SAD006 ORIGINAL DIP-SOP | FBR221SAD006.pdf | |
![]() | K6R1004C1D | K6R1004C1D SAMSUNG SMD or Through Hole | K6R1004C1D.pdf | |
![]() | UPD64012GJ-8BN | UPD64012GJ-8BN NEC QFP | UPD64012GJ-8BN.pdf | |
![]() | HDL4H19PNZ517-11 | HDL4H19PNZ517-11 HITACHI BGA | HDL4H19PNZ517-11.pdf | |
![]() | 14-5801-030-002-829+ | 14-5801-030-002-829+ KYOCERAELCO SMD or Through Hole | 14-5801-030-002-829+.pdf | |
![]() | CAT5221YI-10 | CAT5221YI-10 CATALYST DIP | CAT5221YI-10.pdf |