창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB82N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB82N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB82N60P | |
| 관련 링크 | IXFB82, IXFB82N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SIT9001AI-13-18E4-24.00000Y | OSC XO 1.8V 24MHZ OE -2.0% | SIT9001AI-13-18E4-24.00000Y.pdf | |
![]() | JRC4556D | JRC4556D JRC DIP8 | JRC4556D.pdf | |
![]() | CDSCB10M7GA113-RO | CDSCB10M7GA113-RO MURATA SMD or Through Hole | CDSCB10M7GA113-RO.pdf | |
![]() | LT6A04B-LIT | LT6A04B-LIT LITEON SMD or Through Hole | LT6A04B-LIT.pdf | |
![]() | SA17C/54 | SA17C/54 ORIGINAL SMD or Through Hole | SA17C/54.pdf | |
![]() | 74LV139ATEL | 74LV139ATEL HIT TSSOP | 74LV139ATEL.pdf | |
![]() | STPR/MUR1020 | STPR/MUR1020 ST SMD or Through Hole | STPR/MUR1020.pdf | |
![]() | CJB1117-5 | CJB1117-5 ORIGINAL TO-263-3L | CJB1117-5.pdf | |
![]() | S71PL127NC0HAW4U | S71PL127NC0HAW4U SPANSION BGA | S71PL127NC0HAW4U.pdf | |
![]() | TL2377 | TL2377 TI SOP-8 | TL2377.pdf |