창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB82N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB82N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB82N60P | |
| 관련 링크 | IXFB82, IXFB82N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | SF4006-TR | DIODE AVAL 1A 800V SOD-57 | SF4006-TR.pdf | |
![]() | PF0553.473NL | Shielded 2 Coil Inductor Array 190µH Inductance - Connected in Series 47µH Inductance - Connected in Parallel 72 mOhm Max DC Resistance (DCR) - Parallel 2.9A Nonstandard | PF0553.473NL.pdf | |
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![]() | C3216CH1H182JTOOOA | C3216CH1H182JTOOOA TDK SMD | C3216CH1H182JTOOOA.pdf | |
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![]() | LNT1K104MSEN | LNT1K104MSEN nichicon SMD or Through Hole | LNT1K104MSEN.pdf | |
![]() | AD818AR/ | AD818AR/ AD SOP8 | AD818AR/.pdf | |
![]() | MLV0402NA006V0020 | MLV0402NA006V0020 AEM SMD or Through Hole | MLV0402NA006V0020.pdf | |
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![]() | DS1216D-PB | DS1216D-PB DALLAS DIP-32 | DS1216D-PB.pdf |