창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB82N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB82N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB82N60P | |
| 관련 링크 | IXFB82, IXFB82N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | BZX55F18-TR | DIODE ZENER 18V 500MW DO35 | BZX55F18-TR.pdf | |
![]() | TL2BR018FTE | RES SMD 0.018 OHM 1% 1/4W 1206 | TL2BR018FTE.pdf | |
![]() | RT1N441C-T112-1 N3 | RT1N441C-T112-1 N3 ISAHAYA SOT-23 | RT1N441C-T112-1 N3.pdf | |
![]() | XCS40XLPQ208C | XCS40XLPQ208C XILINX QFP | XCS40XLPQ208C.pdf | |
![]() | VY1152M41Y5UQ6*V0 | VY1152M41Y5UQ6*V0 VISHAY SMD | VY1152M41Y5UQ6*V0.pdf | |
![]() | CM31532.768KDZF-UT | CM31532.768KDZF-UT CITIZEN SMD or Through Hole | CM31532.768KDZF-UT.pdf | |
![]() | MSI2335 | MSI2335 MORSEMI SOT-23 | MSI2335.pdf | |
![]() | MAX809M EUR-T | MAX809M EUR-T ORIGINAL SOPDIP | MAX809M EUR-T.pdf | |
![]() | A70P1600-4TA | A70P1600-4TA GOULD SMD or Through Hole | A70P1600-4TA.pdf | |
![]() | 191892-003 | 191892-003 Intel BGA | 191892-003.pdf | |
![]() | GRM219R60J475K19D | GRM219R60J475K19D MURATA SMD | GRM219R60J475K19D.pdf | |
![]() | CS0603-14NJ-S | CS0603-14NJ-S SMD SMD or Through Hole | CS0603-14NJ-S.pdf |