창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB82N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB82N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB82N60P | |
| 관련 링크 | IXFB82, IXFB82N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | MBRS130 | DIODE SCHOTTKY 30V 1A SMB | MBRS130.pdf | |
![]() | KTR10EZPF2403 | RES SMD 240K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF2403.pdf | |
![]() | K1100BACSE-10.000000MHZ | K1100BACSE-10.000000MHZ CHAMPIONTECHNOLOGIES SMD or Through Hole | K1100BACSE-10.000000MHZ.pdf | |
![]() | Si6361DQ | Si6361DQ VISHAY TSSOP | Si6361DQ.pdf | |
![]() | 768163220G | 768163220G CTS SOP7.2 | 768163220G.pdf | |
![]() | BS9-05A | BS9-05A BDC TO-220 | BS9-05A.pdf | |
![]() | 35SCGQ060SCS | 35SCGQ060SCS InternationalRectifier SMD or Through Hole | 35SCGQ060SCS.pdf | |
![]() | TA8349S-250 | TA8349S-250 YH DIP | TA8349S-250.pdf | |
![]() | 8405A-CZEP | 8405A-CZEP ORIGINAL SOP | 8405A-CZEP.pdf | |
![]() | DF19G-14P-1H/56 | DF19G-14P-1H/56 HIROSE SMD or Through Hole | DF19G-14P-1H/56.pdf | |
![]() | KTN2222AU-RTK | KTN2222AU-RTK KEC SOT323 | KTN2222AU-RTK.pdf | |
![]() | 309UR140 | 309UR140 IR DO-9 | 309UR140.pdf |