창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-IXFB82N60P | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | IXFB82N60P | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | IXYS | |
| 계열 | HiPerFET™, PolarHT™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 82A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 75m옴 @ 41A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 8mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 240nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 23000pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 1250W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
| 공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
| 표준 포장 | 25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | IXFB82N60P | |
| 관련 링크 | IXFB82, IXFB82N60P 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 | |
![]() | 199D335X0010A6V1E3 | 3.3µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 10V Radial 0.173" Dia (4.40mm) | 199D335X0010A6V1E3.pdf | |
![]() | 1PMT5933/TR7 | DIODE ZENER 22V 3W DO216AA | 1PMT5933/TR7.pdf | |
![]() | 0819-88K | 470µH Unshielded Molded Inductor 31.5mA 48 Ohm Max Axial | 0819-88K.pdf | |
![]() | RT1210FRD0784R5L | RES SMD 84.5 OHM 1% 1/4W 1210 | RT1210FRD0784R5L.pdf | |
![]() | RCL12256K20FKEG | RES SMD 6.2K OHM 2W 2512 WIDE | RCL12256K20FKEG.pdf | |
![]() | Y163110K0000T0R | RES SMD 10K OHM 0.01% 0.3W 1506 | Y163110K0000T0R.pdf | |
![]() | C1206N272J101T | C1206N272J101T HEC SMD or Through Hole | C1206N272J101T.pdf | |
![]() | IRHQ9110 | IRHQ9110 IR 28-pinLCC | IRHQ9110.pdf | |
![]() | STPSH100D | STPSH100D ST TO220-2 | STPSH100D.pdf | |
![]() | EP1S80F1508I7N | EP1S80F1508I7N ALTERA SMD or Through Hole | EP1S80F1508I7N.pdf | |
![]() | UVX1C101MPA1TA | UVX1C101MPA1TA NICHI SMD or Through Hole | UVX1C101MPA1TA.pdf | |
![]() | EN87C196CA | EN87C196CA INTEL PLCC68 | EN87C196CA.pdf |