창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFB70N60Q2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFB70N60Q2 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 88m옴 @ 35A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 265nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 12000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 890W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFB70N60Q2 | |
관련 링크 | IXFB70, IXFB70N60Q2 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
![]() | 0259.062T | FUSE BRD MNT 62MA 125VAC/VDC RAD | 0259.062T.pdf | |
![]() | SIT9120AI-2BF-33E100.000000Y | OSC XO 3.3V 100MHZ | SIT9120AI-2BF-33E100.000000Y.pdf | |
IM02EB1R0K | 1µH Unshielded Molded Inductor 385mA 1 Ohm Max Axial | IM02EB1R0K.pdf | ||
![]() | IMC2220ER820K | 82µH Unshielded Inductor 270mA 1.4 Ohm Max 2220 (5650 Metric) | IMC2220ER820K.pdf | |
![]() | 2217-V-RC | 270µH Shielded Toroidal Inductor 3.4A 92 mOhm Max Radial | 2217-V-RC.pdf | |
![]() | MS4800B-40-1560-10X-10R-RM2AP | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800B-40-1560-10X-10R-RM2AP.pdf | |
![]() | AT89S5124PU | AT89S5124PU ORIGINAL DIP-40 | AT89S5124PU.pdf | |
![]() | TA1242W | TA1242W TOSHIBA DIP | TA1242W.pdf | |
![]() | APM3055NGC-TRL | APM3055NGC-TRL ORIGINAL TO263 | APM3055NGC-TRL.pdf | |
![]() | 67-21B UYC-S530-A6-TR8 | 67-21B UYC-S530-A6-TR8 EVERLIGHT SMD | 67-21B UYC-S530-A6-TR8.pdf | |
![]() | UPD662GH | UPD662GH NEC QFP | UPD662GH.pdf | |
![]() | NIS5101B2T4 | NIS5101B2T4 ONSEMI SMD or Through Hole | NIS5101B2T4.pdf |