창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-IXFB62N80Q3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | IXFB62N80Q3 | |
주요제품 | Q3-Class HiPerFET™ Power MOSFETs | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | IXYS | |
계열 | HiPerFET™ | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 800V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 62A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 140m옴 @ 31A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 6.5V @ 8mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 270nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 13600pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1560W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-264-3, TO-264AA | |
공급 장치 패키지 | PLUS264™ | |
표준 포장 | 25 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | IXFB62N80Q3 | |
관련 링크 | IXFB62, IXFB62N80Q3 데이터 시트, IXYS 에이전트 유통 |
BZB984-C2V7,115 | DIODE ZENER ARRAY 2.7V SOT663 | BZB984-C2V7,115.pdf | ||
VLF4014ST-6R8M1R2 | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 1.2A 190 mOhm Max Nonstandard | VLF4014ST-6R8M1R2.pdf | ||
ERJ-S1DJ241U | RES SMD 240 OHM 5% 3/4W 2010 | ERJ-S1DJ241U.pdf | ||
EP200K200EQC240-1 | EP200K200EQC240-1 ALTERA QFP | EP200K200EQC240-1.pdf | ||
PCF8591F | PCF8591F PHILIPS SMD or Through Hole | PCF8591F.pdf | ||
UPD65658GD-T08-5BD | UPD65658GD-T08-5BD NEC QFP | UPD65658GD-T08-5BD.pdf | ||
BTS4144B/P | BTS4144B/P ORIGINAL TO-220 5PC | BTS4144B/P.pdf | ||
CM0516 | CM0516 TI TSSOP | CM0516.pdf | ||
58102-G61-16LF | 58102-G61-16LF FCI SMD or Through Hole | 58102-G61-16LF.pdf | ||
350-80-164-00-006101 | 350-80-164-00-006101 Precidip SMD or Through Hole | 350-80-164-00-006101.pdf | ||
RT9166A-12GX | RT9166A-12GX RICHTEK SMD or Through Hole | RT9166A-12GX.pdf |